功率半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試儀

更新日期：2024年09月19日
有效期：360天
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價(jià)格：￥1000
供貨總量：10000
規(guī)格：PMST-2200V
所屬行業(yè)：五金工業(yè)品-> 儀器儀表-> 電子測(cè)量?jī)x器
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體測(cè)試儀功率器件測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

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武漢普賽斯儀表有限公司

聯(lián)系人：陶女士
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數(shù)字源表半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀功率器件分析儀

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半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的工具之一是功率器件測(cè)試系統(tǒng)，普賽斯功率半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可以測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476

系統(tǒng)特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

單臺(tái)Z大3500V輸出；

單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；

1的超快電流上升沿；

同步測(cè)量；

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

系統(tǒng)指標(biāo)

項(xiàng)目		參數(shù)
集電極-發(fā)射極	Z大電壓.	3500V
	Z大電流	6000A
	精度	0.10%
	大電壓上升沿	典型值5ms
	大電流上升沿	典型值1
	大電流脈寬	5~50
	漏電流測(cè)試量程	1nA~100mA
柵極-發(fā)射極	Z大電壓	300V
	Z大電流	1A(直流)/10A(脈沖)
	精度	0.05%
	Z小電壓分辨率	30uV
	Z小電流分辨率	10pA
電容測(cè)試	典型精度	0.5%
	頻率范圍	10Hz~1MHz
	電容值范圍	0.01pF~9.9999F
溫控	范圍	25℃~150℃
溫控	精度	±1℃

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯功率半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可測(cè)量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，皮安級(jí)電流測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

選擇普賽斯儀表的理由

武漢普賽斯是國(guó)內(nèi) 早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用；

普賽斯儀表特色：高電流、高電壓測(cè)試，3500V電壓下可測(cè)量pA級(jí)漏電流，1000A脈沖電流源1的超快上升沿。詳詢一八一四零六六三四七六；

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