基于國(guó)產(chǎn)源表的半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

更新日期：2024年09月10日
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關(guān)鍵字：霍爾效應(yīng)測(cè)試霍爾測(cè)試系統(tǒng)國(guó)產(chǎn)源表

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半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段，可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)判斷材料的導(dǎo)電類(lèi)型?；魻栃?yīng)本質(zhì)上是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用引起的偏轉(zhuǎn)，當(dāng)帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積，形成附加的橫向電場(chǎng)。

根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計(jì)算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能；通過(guò)霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測(cè)量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測(cè)縱向載流子濃度分布；測(cè)量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補(bǔ)償度。與其他測(cè)試不同的是霍爾參數(shù)測(cè)試中測(cè)試點(diǎn)多、連接繁瑣，計(jì)算量大，需外加溫度和磁場(chǎng)環(huán)境等特點(diǎn)，在此前提下，手動(dòng)測(cè)試是不可能完成的。

普賽斯儀表開(kāi)發(fā)的霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)幾千到至幾萬(wàn)點(diǎn)的多參數(shù)自動(dòng)切換測(cè)量，系統(tǒng)由S系列國(guó)產(chǎn)源表，2700矩陣開(kāi)關(guān)和S型測(cè)試軟件等組成?？稍诓煌拇艌?chǎng)、溫度和電流下根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算出電阻率、霍爾系數(shù)、載流子濃度和霍爾遷移率，并繪制曲線圖。在半導(dǎo)體制程的晶圓基片和離子注入等階段，或者封裝好的霍爾器件需要做霍爾效應(yīng)的測(cè)試。詳詢18140663476

霍爾效應(yīng)測(cè)試.jpg

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