IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備

更新日期：2024年09月18日
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普賽斯IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。詳詢18140663476

測(cè)試系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。

測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，大支持脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流；集電極-發(fā)射極，大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測(cè)試，頻率支持1MHz。

系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（Z大擴(kuò)展至10kV）；

大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；

高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試；

豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板，方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù)；

配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能；

數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；

模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可自由配置，方便維護(hù)；

可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度；

可定制開(kāi)發(fā)：可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；

系統(tǒng)參數(shù)

測(cè)試項(xiàng)目